KJT-KELR-TE20 高精度激光測(cè)距傳感器采用三角法測(cè)量原理，利用線陣CMOS器件作為光學(xué)接收器件，具有測(cè)量精度高、測(cè)量時(shí)間短等特點(diǎn)，產(chǎn)品光路經(jīng)過*的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，成像質(zhì)量穩(wěn)定；具有*的補(bǔ)光技術(shù)，適用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用。
更新時(shí)間：2024-11-27
KJT-KELR-TE20 高精度激光測(cè)距傳感器
KJT-KELR-TE20 高精度激光測(cè)距傳感器
采用三角法測(cè)量原理，利用線陣CMOS器件作為光學(xué)接收器件，具有測(cè)量精度高、測(cè)量時(shí)間短等特點(diǎn)，產(chǎn)品光路經(jīng)過*的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，成像質(zhì)量穩(wěn)定；具有*的補(bǔ)光技術(shù)，適用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用。
| 供電電壓 | Uv12V DC～24V DC±10% | |
| 殘余紋波 | 脈動(dòng)P-P10% | |
| 消耗電流 | 60mA以下(電源電壓12VDC時(shí)) | ≤40mA以下(電源電壓24V DC時(shí)) |
| 直線性 | ±0.1%F.S | ±0.2%F.S |
| 外殼材料 | 鑄鋁合金(AL) | 有機(jī)玻璃(PMMA) |
| 連接類型 | 引線 | |
| 顯示器 | 4位數(shù)碼管 | 2xLED |
| 外殼防護(hù)等級(jí) | IP67 | |
| 防護(hù)等級(jí) | III | |
(注1)： 未zhi定時(shí)的測(cè)量條件如下：電源電壓： 24V DC、周圍溫度：＋20℃、反應(yīng)時(shí)間： 10ms、測(cè)量中心距離的模擬輸出值。 對(duì)象物體：白色陶瓷。 (注2)：根據(jù)FDA規(guī)則的Laser Notice No.50的規(guī)定、并以FDA為基準(zhǔn)。 (注3)： 該值為測(cè)量中心距離上的值。以中心光強(qiáng)度的1/e2 (約13.5%)定義這些值。 如果定義區(qū)域外有光泄漏，并且檢測(cè)點(diǎn)周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，檢測(cè)結(jié)果可能會(huì)受到影響。
| 性能 | TE20 |
| 測(cè)量中心距離 | 200mm |
| 測(cè)量范圍 | ±80mm |
| 光束直徑 | 約φ300μm |
| 重復(fù)精度 | 200μm |
| 受光元件 | CMOS圖像傳感器 | |
| 光源 | 紅色半導(dǎo)體激光2級(jí)(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(jí)(FDA)(注2) | |
| 控制輸出 | NPN開路集電極晶體管 流入電流：50mA 外加電壓：30VDC以下(控制輸出和0V之間) 剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時(shí)) 漏電流：0.1mA以下 | PNP開路集電極晶體管 源電流：50mA 外加電壓：30V DC以下(控制輸出和＋V之間) 剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時(shí)) 漏電流：0.1mA以下 |
| 模擬輸出 | 模擬輸出·輸出范圍：0V～5V(正常時(shí))；5.2V(報(bào)警時(shí)) 輸出阻抗：100Ω | |
| 輸出范圍： 4mA～20mA(正常時(shí))； 0mA(報(bào)警時(shí)) | ||
| 動(dòng)作輸出 | 負(fù)載阻抗：300Ω ；入光時(shí)ON／非入光時(shí)ON可切換 | |
| 短路保護(hù) | 自動(dòng)復(fù)位式 | |
021-63510720
上海市臨洮路
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